FDD5N60NZTM
Numero di parti FDD5N60NZTM
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di FDD5N60NZTM
Numero di parte di u fabricatore FDD5N60NZTM Categoria  
Produttore onsemi Descrizione MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Pacchettu / Case TO-252AA Quantità dispunibule 10879 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±25V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori TO-252AA
Serie UniFET-II™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 83W (Tc) Pacchetto / Casu TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 600 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Numeru di u produttu di basa FDD5N60  
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