FQPF2N60C
Numero di parti FQPF2N60C
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di FQPF2N60C
Numero di parte di u fabricatore FQPF2N60C Categoria  
Produttore onsemi Descrizione MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Pacchettu / Case TO-220F-3 Quantità dispunibule 22215 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori TO-220F-3
Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 23W (Tc) Pacchetto / Casu TO-220-3 Full Pack
Pacchettu Tube Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 600 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Numeru di u produttu di basa FQPF2  
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