NVGS5120PT1G
Numero di parti NVGS5120PT1G
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
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Informazioni Tecniche di NVGS5120PT1G
Numero di parte di u fabricatore NVGS5120PT1G Categoria  
Produttore onsemi Descrizione MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Pacchettu / Case 6-TSOP Quantità dispunibule 70000 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori 6-TSOP
Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 2.9A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 600mW (Ta) Pacchetto / Casu SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 942 pF @ 30 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18.1 nC @ 10 V Tipu FET P-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 60 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)
Numeru di u produttu di basa NVGS5120  
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Componenti NVGS5120PT1G Inventariu NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G Digikey
Fornitore NVGS5120PT1GOrdine NVGS5120PT1G Online Inquistazione NVGS5120PT1G
Image NVGS5120PT1G Foto NVGS5120PT1G PDF NVGS5120PT1G
Scheda di dati NVGS5120PT1GScaricate a scheda di dati NVGS5120PT1GManifattore
Pezzi rilativi per NVGS5120PT1G
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