RM4N650LD
Numero di parti RM4N650LD
Produttore Rectron USA
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2
Quantità dispunibule Richiesta Stock & Quotazione
Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di RM4N650LD
Numero di parte di u fabricatore RM4N650LD Categoria Prodotti Semiconduttori discreti
Produttore Rectron USA Descrizione MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2
Pacchettu / Case TO-252-2 Quantità dispunibule Available Stock
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori TO-252-2
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 46W (Tc) Pacchetto / Casu TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 50 V
Tipu FET N-Channel Caratteristica FET -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 650 V
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
RM4N650LD sò Novu è Originale in Stock, Truvate stock di cumpunenti di elettronica RM4N650LD, Foglio di dati, Inventariu è Prezzi in Ariat-Tech.com Online, Ordine RM4N650LD Rectron USA cù garanzia è fiducia da Ariat Technology Limitd. Spedite via DHL / FedEx / UPS. Pagamentu cù Trasferimentu Wire o PayPal hè OK.
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