IPB048N15N5ATMA1
Numero di parti IPB048N15N5ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Quantità dispunibule 3054 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di IPB048N15N5ATMA1
Numero di parte di u fabricatore IPB048N15N5ATMA1 Categoria  
Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Pacchettu / Case PG-TO263-3-2 Quantità dispunibule 3054 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4.6V @ 264µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori PG-TO263-3-2
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 300W (Tc) Pacchetto / Casu TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 75 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 150 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Numeru di u produttu di basa IPB048  
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Componenti IPB048N15N5ATMA1 Inventariu IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Digikey
Fornitore IPB048N15N5ATMA1Ordine IPB048N15N5ATMA1 Online Inquistazione IPB048N15N5ATMA1
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Pezzi rilativi per IPB048N15N5ATMA1
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IPB043N10NF2SATMA1 AUTOMOTIVE MOSFET Infineon Technologies  
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