IPB60R600C6ATMA1
Numero di parti IPB60R600C6ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Quantità dispunibule 2618 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di IPB60R600C6ATMA1
Numero di parte di u fabricatore IPB60R600C6ATMA1 Categoria  
Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Pacchettu / Case PG-TO263-3 Quantità dispunibule 2618 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori PG-TO263-3
Serie CoolMOS™ C6 Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 63W (Tc) Pacchetto / Casu TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 600 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Numeru di u produttu di basa IPB60R  
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Componenti IPB60R600C6ATMA1 Inventariu IPB60R600C6ATMA1 IPB60R600C6ATMA1 Digikey
Fornitore IPB60R600C6ATMA1Ordine IPB60R600C6ATMA1 Online Inquistazione IPB60R600C6ATMA1
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Scheda di dati IPB60R600C6ATMA1Scaricate a scheda di dati IPB60R600C6ATMA1Manifattore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Pezzi rilativi per IPB60R600C6ATMA1
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