IPB80N06S2L07ATMA3
Numero di parti IPB80N06S2L07ATMA3
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Quantità dispunibule 2565 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di IPB80N06S2L07ATMA3
Numero di parte di u fabricatore IPB80N06S2L07ATMA3 Categoria  
Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Pacchettu / Case PG-TO263-3-2 Quantità dispunibule 2565 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 150µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori PG-TO263-3-2
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 210W (Tc) Pacchetto / Casu TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 3160 pF @ 25 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 55 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Numeru di u produttu di basa IPB80N  
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Scheda di dati IPB80N06S2L07ATMA3Scaricate a scheda di dati IPB80N06S2L07ATMA3Manifattore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Pezzi rilativi per IPB80N06S2L07ATMA3
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