IPD30N03S2L07ATMA1
Numero di parti IPD30N03S2L07ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Quantità dispunibule 2518 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di IPD30N03S2L07ATMA1
Numero di parte di u fabricatore IPD30N03S2L07ATMA1 Categoria  
Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Pacchettu / Case PG-TO252-3-11 Quantità dispunibule 2518 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori PG-TO252-3-11
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 136W (Tc) Pacchetto / Casu TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 30 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Numeru di u produttu di basa IPD30N  
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Pezzi rilativi per IPD30N03S2L07ATMA1
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