IXTH200N10T
Numero di parti IXTH200N10T
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Quantità dispunibule 5761 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di IXTH200N10T
Numero di parte di u fabricatore IXTH200N10T Categoria  
Produttore IXYS / Littelfuse Descrizione MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Pacchettu / Case TO-247 (IXTH) Quantità dispunibule 5761 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori TO-247 (IXTH)
Serie Trench Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 550W (Tc) Pacchetto / Casu TO-247-3
Pacchettu Tube Temperatura Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 100 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Numeru di u produttu di basa IXTH200  
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Componenti IXTH200N10T Inventariu IXTH200N10T IXTH200N10T Digikey
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Scheda di dati IXTH200N10TScaricate a scheda di dati IXTH200N10TManifattore IXYS / Littelfuse
Pezzi rilativi per IXTH200N10T
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