IRF640PBF
Numero di parti IRF640PBF
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Quantità dispunibule 19850 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di IRF640PBF
Numero di parte di u fabricatore IRF640PBF Categoria  
Produttore Vishay / Siliconix Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Pacchettu / Case TO-220AB Quantità dispunibule 19850 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori TO-220AB
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 125W (Tc) Pacchetto / Casu TO-220-3
Pacchettu Bulk Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 200 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Numeru di u produttu di basa IRF640  
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