SIR470DP-T1-GE3
Numero di parti SIR470DP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Quantità dispunibule 31246 pcs new original in stock.
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Modellu ECad
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Informazioni Tecniche di SIR470DP-T1-GE3
Numero di parte di u fabricatore SIR470DP-T1-GE3 Categoria  
Produttore Vishay / Siliconix Descrizione MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Pacchettu / Case PowerPAK® SO-8 Quantità dispunibule 31246 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnulugia MOSFET (Metal Oxide) Package per Dispositivi Fornitori PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Pacchetto / Casu PowerPAK® SO-8
Pacchettu Tape & Reel (TR) Temperatura Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds 5660 pF @ 20 V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V Tipu FET N-Channel
Caratteristica FET - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) 40 V Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Numeru di u produttu di basa SIR470  
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Pezzi rilativi per SIR470DP-T1-GE3
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