| SIRA28BDP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Numero di parti | SIRA28BDP-T1-GE3 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8 |
| Quantità dispunibule | 110000 pcs new original in stock. Richiesta Stock & Quotazione |
| Modellu ECad | |
| Schede di dati | SIRA28BDP-T1-GE3.pdf |
| SIRA28BDP-T1-GE3 Price |
Richiesta Prezzo & Lead Time Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informazioni Tecniche di SIRA28BDP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numero di parte di u fabricatore | SIRA28BDP-T1-GE3 | Categoria | |
| Produttore | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8 |
| Pacchettu / Case | PowerPAK® SO-8 | Quantità dispunibule | 110000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Tecnulugia | MOSFET (Metal Oxide) | Package per Dispositivi Fornitori | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di Potenza (Max) | 3.8W (Ta), 17W (Tc) | Pacchetto / Casu | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchettu | Tape & Reel (TR) | Temperatura Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount | Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds | 582 pF @ 15 V |
| Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | Tipu FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) | 30 V | Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 38A (Tc) |
| Numeru di u produttu di basa | SIRA28 |
Email ci: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SIRA28BDP-T1-GE3 Online.
| Stock SIRA28BDP-T1-GE3 | Prezzo SIRA28BDP-T1-GE3 | Elettronica SIRA28BDP-T1-GE3 | |||
| Componenti SIRA28BDP-T1-GE3 | Inventariu SIRA28BDP-T1-GE3 | SIRA28BDP-T1-GE3 Digikey | |||
| Fornitore SIRA28BDP-T1-GE3 | Ordine SIRA28BDP-T1-GE3 Online | Inquistazione SIRA28BDP-T1-GE3 | |||
| Image SIRA28BDP-T1-GE3 | Foto SIRA28BDP-T1-GE3 | PDF SIRA28BDP-T1-GE3 | |||
| Scheda di dati SIRA28BDP-T1-GE3 | Scaricate a scheda di dati SIRA28BDP-T1-GE3 | Manifattore Vishay / Siliconix | |||
| Pezzi rilativi per SIRA28BDP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Maghjina | Numero di parti | Descrizione | Produttore | Pruvate un Quottu | |
 |
SIRA50DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIRA26DP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
 |
SIRA34DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA20DP-T1-GE3 | SIRA20DP-T1-GE3 Vishay | Vishay | ||
|
SIRA34DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA36DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIRA20BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA32DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA26DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA22DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA24DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA22ADP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIRA52ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA24DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIRA50ADP-T1-GE3 | VISHAY | |||
|
SIRA50ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA28BDP-T1-GE3-G | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SIRA36DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
Notizie
Di più
A certificazione di Dolfire di Microchip hà ricevutu certificazione AECEPGA hà ricevutu a certificazione di Aec-Q13, chì cunfirmendu a so affidabil...
U piectm 4000t hè u primu pruduttu di l'infineo per presentà a tecnulugia di a Cumpagnia di a Cumpagnia di a Cumpagnia di a Cumpagnia è di a funziu...
Un prupertu auto di parte di u pubblicu chì u sviluppu di u mercatu di u Nordu Americanu hà sceltu di l'automobilare per estende a vita di u so muto...
L'infineo è l'eastron sò espansione u so sistema di gestione di a bateria AI (bms) cullaburazione in l'elettronica industriale è di i cunsumatori.B...
In semiconductor recentemente hà annunziatu a pietà di a so prima volta, u tempu indirettu-di a misura di Hyperlux, chì pò esse compitu una imagin...
Novi Prodotti
Di più
Serie PD30 Sensore Fotoelettricu I sensori fotoelettrici in miniatura di Carlo Gavazzi sò di altu r...
Kit di Evaluzione XC112 / XR112 per u Radar Coherente A111 PulsatuKit di valutazione Acconeer XC112 è XR112 con cavi piani flessibili è supportu per...
Serie MINAS A6 Servo e Motori A famiglia MINAS A6 di Panasonic assicura un funziunamentu stabile ste...
Cunsigliu di Driver UV U pannellu di u mutore UV LED di RayVio per serie XE è XP1 di emittenti UV-C...
Prova industriale è estesa DDR SDRAM I dispositivi DDR SDDAM di Insignis guarantiscenu l'operazione...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AGGIUNGI: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright Copyright © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tutti i diritti riservati.